"Am cam terminat-o cu miniaturizarea. Tot facem giumbuslucuri inca de la 90 de nanometri", spune Brad McCredie, cercetator asociat la IBM si unul dintre principalii designeri de cipuri ai companiei, referindu-se la tehnicile tot mai sofisticate la care industria a recurs ca sa faca circuitele mai mici. Spre exemplu, la ultimele trei generatii de tehnologie Intel a folosit un material cunoscut sub numele de "siliciu intins" (strained silicon), in care un strat de atomi de siliciu sunt intinsi mai mult decat le permite normalul distantei lor atomice, prin depunerea lor pe un alt strat de material, ca aliajul de germaniu si siliciu. Acest procedeu aduce un consum de energie mai scazut si viteze de comutare mai mari. Alti cercetatori si executivi considera ca micsorarea tranzistorilor poate continua, cel putin pentru o vreme, ca actualul standard al industriei, MOSFET (Metal-Oxide-Silicon Field-Effect-Transistor) poate fi exploatat inca vreo cateva generatii tehnologice de acum inainte. Executivii responsabili de tehnologie de la Intel Corp., cel mai mare producatori de cipuri din lume, considera ca prin combinarea unor tehnici fotolitografice mai avansate cu noi tipuri de materiale si prin schimbarea designului tranzistorilor se va putea continua micsorarea pana la dimensiuni de 5 nanometri - ceea ce ar asigura progresul industriei pana la sfarsitul deceniului urmator.

"Siliciul probabil va continua sa existe mai mult decat ne inchipuim noi", spune Michael C. Mayberry, vicepresedinte al Intel si director al programului de cercetare pentru componente al companiei.

Atat Intel, cat si IBM s-au angajat public sa dezvolte o noua clasa de tranzistori cunoscuti sub indicativul FinFET, care ar putea fi folositi inca din 2011 sau 2012, odata cu debutul generatiei de 22 de nanometri. Numite astfel pentru ca o portiune seamana cu inotatoarea unui peste ("fin", in limba engleza), acesti tranzistori au dublul avantaj ca ofera o mai mare densitate pentru ca sunt dispusi vertical pe placuta de siliciu, dar si proprietati de izolare mai mari, ceea ce face mai usor controlul comutarii intre "1" si "0".

Dar, mai devreme sau mai tarziu, alte noi materiale si alte noi procese tehnologice vor fi necesare pentru a putea mentine tehnologia de producere a computerelor la preturi scazute. Pe termen lung, noile comutatoare ar putea functiona pe baza unor principii magnetice, cuantice sau chiar nanomecanice. O posibilitate ar fi ca schimbarile in rotatia unui electron sa fie folosite pentru a reprezenta un "1" sau un "0". "Daca ne uitam la viitor vedem un copac plin de ramuri si cu multe posibilitati pe care am putea sa le abordam", spune Mayberry. In laboratorul lui Ross de la IBM, cercetatorii se concentreaza pe o tehnologie mai plauzibila pe termen scurt. Ei exploreaza ideea construirii de comutatoare FinFET printr-un proces complet nou, un fel de nano-ferma. Ross imprastie particule de aur de cate 10 nanometri in diametru pe o suprafata pe care o scufunda apoi in gaz siliconic la temperatura de 1.100 de grade Fahrneheit (593 grade Celsius). Aceasta face ca particulele sa devina "suprasaturate" cu siliciu, care se va precipita apoi intr-o forma solida, formand un fir care creste vertical.